摘要：金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于形成半导体装置的方法“公开号CN117826534A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，提供了用于形成半导体装置的方法。该方法包括在基板上形成涂覆层的步骤，该涂覆层包含可切等会说。
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金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于形成半导体装置的方法“公开号CN117826534A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，提供了用于形成半导体装置的方法。该方法包括在基板上形成涂覆层的步骤，该涂覆层包含可切等会说。
金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体存储器的测试方法和设备“公开号CN117831600A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体存储器的测试方法和设备，包括向存储块中写入测试数据，存储块包括多个标还有呢？
jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 5 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， chang xin cun chu ji shu you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ ban dao ti cun chu qi de ce shi fang fa he she bei “ gong kai hao C N 1 1 7 8 3 1 6 0 0 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 9 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben gong kai ti gong yi zhong ban dao ti cun chu qi de ce shi fang fa he she bei ， bao kuo xiang cun chu kuai zhong xie ru ce shi shu ju ， cun chu kuai bao kuo duo ge biao hai you ne ？
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金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体存储器的测试方法和设备“公开号CN117831599A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开提供一种半导体存储器的测试方法和设备，包括向半导体存储器所有存储块中写入第一数据，是什么。
金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，沈阳富创精密设备股份有限公司申请一项名为“一种适用于半导体行业的真空矩形阀门“公开号CN117823642A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种适用于半导体行业的真空矩形阀门，涉及半导体阀门技术领域。..
金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“在封装衬底中的金属结构中具有空隙限定区段以减小管芯-衬底机械应力的半导体管芯模块封装件及相关方法“公开号CN117836937A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，在封装衬底中的金属结构中还有呢？
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金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“制备感光单元的工艺方法和感光单元以及图像传感器“公开号CN117832236A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本发明公开了一种制备感光单元的工艺方法和感光单元及图像传感器，其中还有呢？
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金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法“公开号CN117835796A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底以及位于基底是什么。
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金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“公开号CN117832164A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括以下步骤。提供衬底，其中，衬底具有好了吧！
金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“公开号CN117832197A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括衬底以及设置于所述衬底一侧的一层或多等会说。
金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法以及半导体结构“公开号CN117832159A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，所述半导体结构等我继续说。
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